ダイヤモンド半導体に注目が集まる理由！実用化の状況や今後の展望とは製造業関連のお役立ちメディアならNikken→Tsunagu。
半導体研究用基板製品情報EDP 株式会社イーディーピー。
エネルギー問題の解決策となる新素材を生み出す！半導体グレードのダイヤモンド基板製造への熱意と挑戦K-NIC。
直径2インチ ダイヤモンドウェハの量産技術開発に成功 パワー半導体デバイスの企業研究開発に拍車佐賀大学広報室。
パワー半導体の「究極材料」と呼ばれるダイヤモンドに関する研究開発状況 - 日本ポリマー株式会社。
EDP，半導体用人工ダイヤモンド大型基板を発売OPTRONICS ONLINE オプトロニクスオンライン。
世界で初めてダイヤモンド-on-シリコン技術を用いてヘテロエピタキシャルダイヤモンド反転層チャネルMOSFETを開発！ – 金沢大学。
新動作原理によるダイヤモンド半導体パワーデバイスの作製に成功 - Orbray MAGAZINE Orbray株式会社。
究極の半導体」ダイヤモンド電子デバイス産業新聞 旧半導体産業新聞。
世界初、ガスからクラックのない1立方センチ級単結晶ダイヤモンドの作製に成功ニュースNEDO。
産総研、ダイヤモンド基板を原子レベルで低温接合する技術 - PC Watch。
大口径ダイヤモンドウエハの超平滑化加工と常温接合に世界で初めて成功 ～EVや高速通信に使われるパワー半導体デバイスの高性能化に貢献～明星大学。
剣山」でダイヤモンド半導体の基板開発 日本の最先端メーカーの秘話に迫る電波新聞デジタル。
究極のパワー半導体「ダイヤモンド半導体デバイス」世界最高水準の出力 実用化にめど 洋上風力発電など送電用にもEnergyShift。
電子デバイス用超平坦性ダイヤモンド基板の自動切削研磨技術開発株式会社シンテックGo-Techナビ。
ダイヤモンド半導体とは。
世界初、単結晶ダイヤモンド基板を用いたマルチセル構造のGaN-HEMTを開発ニュースNEDO。
EVでダイヤモンドは輝くか 夢のパワー半導体材料 - 日本経済新聞。
化合物半導体材料の個片化 SnB加工MDI 三星ダイヤモンド工業株式会社。
世界初のダイヤモンド半導体回路、オンオフ切り替え「１０ナノ秒」 佐賀大学チーム開発：地域ニュース : 読売新聞。
オーブレーが100億円強投資、車載半導体ダイヤ基板の新工場ニュースイッチ by 日刊工業新聞社。
研究内容Doi Laboratory。
究極のパワー半導体材料「ダイヤモンドウェーハ」の エッジ研磨加工サービスを提供。
世界初、単結晶ダイヤモンドと炭化シリコンを常温で接合する技術を開発 : 富士通。
世界最大級のダイヤ基板 オーブレー、パワー半導体向け - 日本経済新聞。
2インチ多結晶ダイヤモンド基板上のGaN-HEMTの作製に成功 通信用基幹デバイスの大容量化と低消費電力化に貢献住友電工。
ダイヤモンド半導体を用いた高信頼性電力素子。
単結晶ダイヤモンド放熱基板を用いたマルチセル構造GaN-HEMT技術を知る研究開発企業情報三菱電機。
研究内容佐賀大学 理工学部電気エネルギー工学コース、電子デバイス工学コース パワー半導体研究室 嘉数研究室。
２インチの大型ダイヤ基板開発、イーディーピーが半導体デバイス強化ニュースイッチ by 日刊工業新聞社。
高品質・大口径ダイヤモンド基板 - Orbray MAGAZINE Orbray株式会社。
ダイヤモンド半導体の基板生産技術とその用途 - Orbray MAGAZINE Orbray株式会社。
ダイヤモンド半導体のプラズマ援用研磨 - 精密研磨加工の株式会社ティ・ディ・シーTDC Corporation。
ダイヤモンド半導体で高効率の紫外線発光に成功－ 間接遷移型半導体の常識を破る高効率発光を実現 －。
共同発表：ダイヤモンド半導体による接合型電界効果トランジスターの動作に成功。
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産総研：ダイヤモンド半導体で高効率の紫外線発光に成功。
世界初※ 人工ダイヤモンド基板を宇宙にて曝露実験アダマンド並木精密宝石株式会社。
Honda R&D低消費電力、高速・大容量通信の革新的基盤となるダイヤモンドパワー半導体。
GaN HEMTの放熱効率を高めるダイヤモンド膜の形成に成功 : 富士通。
ダイヤモンドウェハの平坦化における研磨代替技術を開発！ ダイヤモンドとニッケルを接触させアニールするだけ – 金沢大学。
ダイヤモンド半導体基板のカギは「剣山」 日本最先端メーカーの開発秘話と展望半導体ナビ。
ダイヤモンド半導体パワー回路 世界初の開発に成功 佐賀大Science Portal - 科学技術の最新情報サイト「サイエンスポータル」。
早大の開発技術を事業化、「ダイヤモンド半導体」の効果ニュースイッチ by 日刊工業新聞社。
ダイヤモンドで高移動度トランジスタを実現NIMS。
GaNとダイヤモンドの直接接合に大阪市大などが成功、GaN半導体の性能向上に期待TECH+ テックプラス。
宇宙で使える次世代半導体開発へ、人工ダイヤ基板の暴露実験ニュースイッチ by 日刊工業新聞社。
